Usuli

Wakati wa malipo na kutolewa kwa betri, uwezo utaathiriwa na overvoltage inayosababishwa na upinzani wa ndani. Kama kigezo muhimu cha betri, upinzani wa ndani unastahili utafiti kwa ajili ya kuchanganua uharibifu wa betri. Upinzani wa ndani wa betri una:

• Ohm upinzani wa ndani (R_Ω) -Upinzani kutoka kwa tabo, elektroliti, kitenganishi na vifaa vingine.
• Inachaji upinzani wa ndani wa maambukizi (R_ct) -Upinzani wa ions kupita tabo na electrolyte. Hii inawakilisha ugumu wa majibu ya vichupo. Kwa kawaida tunaweza kuongeza conductivity ili kupunguza upinzani huu.
• Upinzani wa Polarization (R_mt) ni upinzani wa ndani unaosababishwa na kutofautiana kwa ioni za lithiamu kati ya msongamanocathodena anode. Upinzani wa Polarization utakuwa juu zaidi katika hali kama vile kuchaji kwa chinijotoau kiwango cha juu cha malipo.

Kwa kawaida tunapima ACIR au DCIR. ACIR ni upinzani wa ndani unaopimwa katika mkondo wa 1k Hz AC. Upinzani huu wa ndani pia hujulikana kama upinzani wa Ohm. Theuhabaya data ni kwamba haiwezi kuonyesha moja kwa moja utendaji wa betri. DCIR inapimwa na sasa ya kulazimishwa mara kwa mara kwa muda mfupi, ambayo voltage inabadilika mara kwa mara. Ikiwa sasa ya papo hapo ni mimi, na mabadiliko ya voltage katika muda mfupi huo niΔＵ, kulingana na sheria ya OhmＲ＝ΔＵ／ＩTunaweza kupata DCIR. DCIR sio tu juu ya upinzani wa ndani wa Ohm, lakini pia upinzani wa uhamisho wa malipo na upinzani wa polarization.

Uchambuzi wa viwango vya Uchina na nchi zingine

It'Daima ni ugumu kwenye utafiti wa DCIR wa betri ya lithiamu-ioni. Ni's hasa kwa sababu upinzani wa ndani wa betri ya lithiamu-ioni ni mdogo sana, kwa kawaida mΩ. Wakati huo huo kama sehemu inayotumika, ni ngumu kupima upinzani wa ndani moja kwa moja. Kwa kuongezea, upinzani wa ndani huathiriwa na hali ya mazingira, kama vile hali ya joto na chaji. Hapo chini kuna viwango ambavyo vimetaja kuhusu jinsi ya kujaribu DCIR.

• Kiwango cha kimataifa:

IEC 61960-3: 2017:Seli za pili na betri zilizo na alkali au elektroliti zingine zisizo za asidi - Seli za pili za lithiamu na betri za programu zinazobebeka - Sehemu ya 3: Seli za upili za lithiamu na silinda na betri zilizotengenezwa kutoka kwao..

IEC 62620:2014:Seli za pili na betri zilizo na alkali au elektroliti zingine zisizo na asidi - Seli za pili za lithiamu na betri za matumizi katika matumizi ya viwandani..

• Japani:JIS C 8715-1:2018: Seli za pili za lithiamu na betri za matumizi katika programu za viwandani - Sehemu ya 1: Majaribio na mahitaji ya utendakazi
• Uchina haina kiwango muhimu kuhusu majaribio ya DCIR.

Aina mbalimbali

Njia za kupima ni sawa kati yaIEC 61960-3:2017,IEC 62620:2014naJIS C 8715-1:2018. Tofauti kuu ni kama ifuatavyo:

1. Viwango vya kupima joto ni tofauti. IEC 62620:2014 naJIS C 8715-1:2018inasimamia 5℃juu ya halijoto iliyoko kuliko IEC 61960-3:2017. Joto la chini litaifanya kuwa mnato wa juu wa elektroliti, ambayo itasababisha harakati ya chini ya ioni. Kwa hivyo mmenyuko wa kemikali utapungua, na upinzani wa Ohm na upinzani wa polarization utakuwa mkubwa, ambayo itasababisha mwelekeo wa kuongezeka kwa DCIR.
2. SoC ni tofauti. SoC inahitajika ndaniIEC 62620:2014naJIS C 8715-1:2018ni 50±10％, wakatiIEC 61960-3:2017ni 100%. Hali ya malipo ina ushawishi mkubwa kwa DCIR. Kwa kawaida matokeo ya upimaji wa DCIR yatapungua na ongezeko la SoC. Hii inahusiana na utaratibu wa mmenyuko. Katika SoC ya chini,upinzani wa uhamisho wa malipoR_ct itakuwa juu zaidi; naR_ct itapungua kwa kuongezeka kwa SoC, kwa hivyo kama DCIR.
3. Kipindi cha kutokwa ni tofauti. IEC 62620:2014 na JIS C 8715-1:2018 inahitaji muda mrefu wa kutokwa kulikoIEC 61960-3:2017. Kipindi kirefu cha mpigo kitasababisha kupungua kwa mwelekeo wa DCIR, na kuwasilisha mkengeuko kutoka kwa mstari. Sababu ni kwamba kuongezeka kwa muda wa mapigo husababisha kuongezekaR_ct na kuwakutawala.
4. Mikondo ya kutokwa ni tofauti. Hata hivyo mkondo wa kutokwa si lazima uhusiane moja kwa moja na DCIR. Uhusiano umedhamiriwa nayakubuni.
5. IngawaJIS C 8715-1:2018inahusuIEC 62620:2014, zina ufafanuzi tofauti kwenye betri zilizokadiriwa juu.IEC 62620:2014inafafanua kuwa betri zilizopimwa kwa kiwango cha juu zinaweza kutoa si chini ya 7.0C ya sasa.WwakatiJIS C 8715-1:2018inafafanua betri zilizokadiriwa juu ni zile zinazoweza kutokwa na 3.5C.

Uchambuzi juu ya Upimaji

Ifuatayo ni chati ya utendaji kazi wa muda wa voltage ya kipimo cha kupima DCIR. Curve inaonyesha upinzani wa seli, ili tuweze kutathmini utendakazi.

• Kama inavyoonekana kwenye picha, mishale nyekundu inawakilishaR_Ω. Thamani inahusiana na iR-drop. iR-tone inamaanisha mabadiliko ya ghafla ya voltage baada ya mabadiliko ya sasa. Kwa kawaida wakati kiini ni umeme, kuna'sa kushuka kwa voltage. Kwa hiyo tunaweza kujua kwambaR_Ω ya seli ni0.49mΩ.
• Mshale wa kijani unawakilishaR_ct. R_ct naR_mt unahitaji muda wa kuamilisha. Kawaida hutokea baada ya kushuka kwa Ohm Voltage. Thamani yaR_ct inaweza kupimwa 1ms baada ya mabadiliko ya sasa. Thamani ni0.046mΩ. Kwa kawaidaR_ct itapungua kwa kuongezwa kwa SoC.
• Mshale wa bluu unawakilisha mabadiliko yaR_mt. Voltage inaendelea kupungua kwa sababu ya usambazaji wa lithiamu-ioni isiyo sawa. Thamani yaR_mt is 0.19mΩ 

Hitimisho

Jaribio la DCIR linaweza kuonyesha utendakazi wa betri. Ni's pia kigezo muhimu kwa R&D. Hata hivyo kuna baadhi ya masuala ya kuzingatiwa ili kuweka usahihi wa kipimo.

• Njia ya uunganisho kati ya betri na vifaa vya malipo na kutokwa inapaswa kuzingatiwa. Upinzani wa uunganisho unapaswa kuwa chini iwezekanavyo (pendekeza sio kubwa kuliko0.02mΩ).
• Uunganisho wa waya za voltage na za sasa za kukusanya pia ni muhimu.It itakuwa bora kuunganishwa katika upande huo wa tabo. Inapaswa kuzingatiwa kuwa usiunganishe waya za kukusanya kwenye waya za malipo ya vifaa.
• Usahihi wa vifaa vya malipo na kutokwa na wakati wa majibu pia unapaswa kuzingatiwa. Muda wa kujibu unapendekezwa sio zaidi ya milisekunde. Muda mfupi wa majibu, ndivyo matokeo sahihi zaidi.